硒化铟
| 硒化铟 | |
|---|---|
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| IUPAC名 Indium(III) selenide | |
| 别名 | 三硒化二铟，倍半硒化铟 |
| 识别 | |
| CAS号 | 12056-07-4 
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| PubChem | 166055 |
| SMILES |
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| 性质 | |
| 化学式 | In2Se3 |
| 摩尔质量 | 466.516 g·mol⁻¹ |
| 外观 | 黑色晶体 |
| 密度 | 5.80 g/cm³ |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
硒化铟是铟的一种硒化物。它有潜力用于光伏器件，并且得到了广泛的研究。硒化铟的两种最常见的晶型——α型和β型，有着层状结构，而γ型具有缺陷的纤维锌矿结构。至今，一共发现了硒化铟的五种相态（α、β、γ、δ、κ）。[1] 伴随着电导率的变化，会产生α- β 相态的相变。[2]γ-In2Se3 的能隙大约为 1.9 eV。 硒化铟的晶体结构取决于制备方法，例如γ-In2Se3 可以由三甲基铟（InMe3）和硒化氢（H2Se）通过有机金属化学气相沉积法制备而成。[3]
参见
[编辑]扩展阅读
[编辑]- WebElements （页面存档备份，存于互联网档案馆）
Greenwood, N. N.; Earnshaw, A. Chemistry of the Elements 2nd. Oxford:Butterworth-Heinemann. 1997. ISBN 0-7506-3365-4.
参考资料
[编辑]- ^ Crystal structure of κ-In2Se3. Jasinski, J.; Swider, W.; Washburn, J.; Liliental-Weber, Z.; Chaiken, A.; Nauka, K.; Gibson, G. A.; Yang, C. C. Applied Physics Letters, Volume 81, Issue 23, id. 4356 (2002) doi:10.1063/1.1526925
- ^ Some Electrical and Optical Properties of In2Se3 D. Bidjin, S. Popovi , B. Elustka Physica Status Solidi A Volume 6, Issue 1 , Pages 295 – 299 doi:10.1002/pssa.2210060133
- ^ Growth of single-phase In2Se3 by using metal organic chemical vapor deposition with dual-source precursors Chang, K. J.; Lahn, S. M.; Chang, J. Y. Applied Physics Letters, Volume 89, Issue 18, id. 182118 (3 pages) (2006). doi: 10.1063/1.2382742