砷化铟
| 砷化铟[1] | |
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| IUPAC名 Indium(III) arsenide | |
| 别名 | Indium monoarsenide |
| 识别 | |
| CAS号 | 1303-11-3 
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| PubChem | 91500 |
| ChemSpider | 82621 |
| SMILES |
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| InChI |
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| InChIKey | RPQDHPTXJYYUPQ-FVESRWMKAB |
| 性质 | |
| 化学式 | InAs |
| 摩尔质量 | 189.740 g/mol g·mol⁻¹ |
| 密度 | 5.67 g/cm3 |
| 熔点 | 942°C |
| 能隙 | 0.354 eV (300 K) eV |
| 电子迁移率 | 40000 cm2/(V*s) |
| 熱導率 | 0.27 W/(cm*K) (300 K) |
| 折光度n D |
3.51 |
| 结构 | |
| 晶体结构 | 立方ZnS结构[2] |
| 热力学 | |
| ΔfHm⦵298K | -58.6 kJ·mol-1 |
| S⦵298K | 75.7 J·mol-1·K-1 |
| 热容 | 47.8 J·mol-1·K-1 |
| 危险性 | |
| 警示术语 | R：R23/25, R50/53 |
| 安全术语 | S：S1/2, S20/21, S28, S45, S60, S61 |
| 欧盟分类 | 有毒(T) 对环境有害(N) |
| NFPA 704 |
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4
0
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| 相关物质 | |
| 其他阴离子 | 磷化铟 锑化铟 |
| 其他阳离子 | 砷化镓 |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
砷化铟是一种无机化合物，化学式InAs，是一种半导体材料。它是灰色的立方晶体，熔点942 °C。[3]
结构
[编辑]砷化铟是立方ZnS结构，没有对称中心，所以[111]和[]晶面是不等价的[2]。
参考资料
[编辑]- ^ Lide, David R., Handbook of Chemistry and Physics 87, Boca Raton, FL: CRC Press: 4–61, 1998, ISBN 0-8493-0863-2
- ^ 2.0 2.1 《无机化学丛书》.第四卷 氮 磷 砷分族. 张青莲 主编. 科学出版社. 2.2.2 砷与p区元素的金属互化物. P300
- ^ Thermal properties of Indium Arsenide (InAs). [2011-11-22]. （原始内容存档于2012-04-14）.