90 nāi-bí chè-têng

Pòaⁿ-tō-thé chong-tì chè-chō
MOSFET scaling (process nodes)
010 µm – 1971 nî 006 µm – 1974 nî 003 µm – 1977 nî  1.5 µm – 1981 nî 001 µm – 1984 nî 800 nm – 1987 nî 600 nm – 1990 nî 350 nm – 1993 nî 250 nm – 1996 nî 180 nm – 1999 nî 130 nm – 2001 nî 090 nm – 2003 nî 065 nm – 2005 nî 045 nm – 2007 nî 032 nm – 2009 nî 022 nm – 2012 nî 014 nm – 2014 nî 010 nm – 2016 nî 007 nm – 2018 nî 005 nm – 2020 nî
Bī-lâi 003 nm – ~2022 nî

90 nāi-bí chè-têng (Eng-gí: 90 nm process) sī pòaⁿ-tō-thé chè-chō chè-têng ê chi̍t ê chúi-pêng, tāi-iok tī 2004 nî kàu 2005 nî chó-iū ta̍t-sêng. Che sī iû hit-tang-chūn ê léng-sian pòaⁿ-tō-thé kong-si Intel, AMD, Infineon, Texas Instruments, IBM kap Tâi-chek-tiān só͘ oân-sêng. Chē-chē chhiúⁿ-siong ēng 193 nāi-bí ê pho-tn̂g lâi chìn-hêng koan-kiān chân-kip ê kng-khek.

Lēng-gōa, 12 eng-chhùn chiⁿ-îⁿ tī chit-ê chè-têng chiâⁿ-chò chú-liû.