GD-Profiler 2™

マーカス型高周波グロー放電発光表面分析装置(GDS)

表面分析・深さ方向元素分析を迅速かつ簡単に

rf-GD-OES(GDS)分析装置は、Arプラズマにより試料をスパッタリングさせ、スパッタされた原子を原子発光させることで、元素分析を行う、迅速かつ簡単な表面分析装置・深さ方向元素分析装置として、薄膜・めっき・熱処理・表面処理・コーティングなどの研究開発・生産技術・品質管理の分野において、幅広く活用されています。高周波方式グロー放電を採用しているため、非導電性試料でも表面分析が可能です。

  • 迅速に表面分析がしたい
  • たくさんの試料・検体数の表面分析/深さ方向分析がしたい
  • 定量的な表面分析がしたい

といった、表面分析/深さ方向分析のお悩み・お困りにお応えすることができます。

 

 

事業セグメント: Scientific
製造会社: HORIBA France SAS
  • 迅速表面分析が可能!
  • 非導電性材料の表面分析も可能!
  • パルススパッタ(特許)により低ダメージ・高分解能測定が可能!
  • 顕微鏡観察用の前処理・エッチング機としても活用可能!
  • バルク分析(固体材料の定量分析)も可能!

  • 膜厚同時計測

    • DiP(Differential Interferometry Profiling)差動干渉プロファイリング機構
      元素プロファイルと深さ情報を同時に計測します。非測定部と測定部の位相差情報から、高精度な深さ情報が得られます。

  • 非平面試料測定

    • 非平面試料ホルダ
      平面試料だけでなく、非平面部分の表面分析ができます。棒状、切削工具、ネジ、ベアリングなどの非平面・湾曲した試料向け治具のカスタマイズもご相談を承っています。

  • 大気非暴露測定

    • トランスファーベッセル
      試料を大気から遮断してrf-GD-OES 分析を行う際に使用します。大気との遮断部分は、O リング・逆止弁付バルブ・スライド式窓などから構成されています。
       

  • 微小試料測定

  • スモールサンプルキット
  • 微小試料用埋込キット
微小試料をダイレクトに測定するためのキット。微小試料を埋込処理して測定するためのキット。
  • 半定量測定

    • 半定量キット
      標準試料セットと全検出器の感度自動調節により、簡易に半定量分析が行えます。

▶関連アプリケーションはこちら


次の機関ではrf-GD-OESを使って有償受託分析事業を展開しています。

発光部
ランプ型式マーカス型
試料印加方式13.56MHz高周波
高周波出力0-300W(可変)
パルス制御〈周波数〉1〜100Hz(可変)〈Duty〉5〜50%(可変)
ガス圧力0〜1000Pa(可変)
アノード径〈標準〉4mm〈オプション〉1mm、2mm、7mm
クリーニング機構モータ制御式自動クリーナ
検出部
検出器光電子増倍管
分析線〈メイン分光器〉標準20本+追加25本(オプション)
〈サブ分光器〉1本
分析元素H〜Uまで
ただし、メイン分光器に導入する元素は、別途お打ち合わせが必要となります。
データ取込間隔最高0.001sec〜
シンクロ測光パルススパッタ適応時のみ(オプション)
分光部
 ポリクロメータ(メイン分光器)
〈標準装備〉
モノクロメータ(サブ分光器)
〈標準装備〉
フラットフィールド・ポリクロメータ
〈オプション〉
マウント型式パッシェンルンゲツェルニターナポリクロメータ内組込み型
焦点距離500mm640mm 
回折格子ブレーズドホログラフィック凹面 グレーティング(刻線密度: 2400本/mm)ブレーズドホログラフィック平面グレーティング(刻線密度: 2400本/mmもしくは3600本/mmも)ホログラフィックグレーティング(刻線密度: 1200本/mm)
波長範囲110〜620nm165〜780nmもしくは165〜500nm400〜900nm
実質分解能 0.013〜0.018nm 
    
ソフトウェア
方式日本語対話方式 Quantum XP
ユーティリティ
本体装置質量550kg
本体外形寸法860(W)×1521(D)×1200(H)mm
ユーティリティ電源〈本体用〉単相AC 200V 30A
〈制御PC用〉単相AC 100V 10A
周波数 50/60Hz
ガス〈スパッタ用ガス〉Ar 
  純度: 99.9999%以上、圧力: 0.4MPa
〈シリンダ駆動用ガス〉N2もしくはエア 
  純度: 問わず、圧力: 0.7MPa
〈パージ用ガス〉N2 
  純度: 99.999%以上(O2<3ppm)
  圧力: 0.2MPa
設置環境〈温度〉22〜24±2℃
〈湿度〉60%以下

 

GD-OESによる電池材料の評価
AlLi合金系の負極材料を用いた二次電池の充放電前後のLiの挙動を分析した事例を紹介します。
GD-OESによる化合物半導体の評価
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GD-OESによる迅速分析例:熱処理部品
窒化・炭化処理をした鉄鋼試料の窒化層の深さ・濃度、炭化層の深さ・濃度し、また表面から約7~8μmの深さに炭素の濃縮層があることも判明しました。
GD-OESによる材料中水素評価
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GD-OESによる迅速分析例:Znメッキのブリスター(膨れ)解析
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GD-OESによるmmオーダの深さ方向元素分析例
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GD-OESによるハードディスク測定①
Al基板上にNiPメッキ、Cr・Co磁性膜、DLC膜を施したハードディスク基板表面から10μmの深さまで短時間で深さ方向に定量分析した事例を紹介します。
GD-OESによるハードディスク測定②
Al基板上にNiPメッキ、Cr・Co磁性膜、DLC膜を施したハードディスク基板表面から10μmの深さ方向定量分析結果を、GD-Profiler2とSEM-EDXとで比較した事例を紹介します。
GD-OESによる非導電性試料測定例:ガラス基板上薄膜
モバイルPC用ガラス基板ハードディスクは超平滑なガラス基板上にナノメートルオーダーの磁性膜が多層積層されています。ガラスのような非導電性基板のGD-OES法での迅速深さ方向元素分析事例を紹介します。
GD-OESによる単分子膜の分析
エネルギーの低いAr+スパッタリングは、試料への照射エネルギーが低く、最表面における高分解能な測定が可能です。本資料では銅表面に単分子膜を形成した試料をnmレベルで深さ方向元素分析した事例を紹介します。
Surface Cleaningによる水素測定の改善
GD-OES法は、水素を分析することができるというユニークな特長を有していますが、表面付近の水素分析はテーリングが発生する場合があり、正確な水素分析を妨害します。そのため、Surface Cleaningの機能を用いて、このテーリング影響を除去し、正確な水素の測定を行った事例を紹介します。

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