Bước tới nội dung

RAM tĩnh

Bách khoa toàn thư mở Wikipedia
Một chiếc RAM tĩnh của một chiếc Nintendo Entertainment System (2K × 8 bits)

Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh (SRAM hay RAM tĩnh) là một loại bộ nhớ sử dụng công nghệ bán dẫn. Từ "tĩnh" nghĩa là bộ nhớ vẫn lưu dữ liệu nếu có điện, không như RAM động cần được nạp lại thường xuyên. Không nên nhầm RAM tĩnh với bộ nhớ chỉ đọcbộ nhớ flash vì RAM tĩnh chỉ lưu được dữ liệu khi có điện.

Thiết kế

[sửa | sửa mã nguồn]
Một ô CMOS SRAM với sáu transitor.

Truy cập ngẫu nhiên nghĩa là bất kì một ô nhớ nào cũng đều có thể được đọc và ghi theo bất kì thứ tự nào.

Mỗi bit trong 1 thanh SRAM được chứa trong 4 transistor tạo thành 2 cặp chéo nhau. Ô chứa này có 2 trạng thái 01. Ngoài ra còn 2 transistor được sử dụng điều khiển quyền truy cập tới một ô nhớ trong quá trình đọc và ghi. Tổng cộng, cần 6 transistor để chứa 1 bit bộ nhớ.

Truy cập tới cell được kích hoạt bởi word line (WL ở trong hình) vốn điều khiển 2 transistor truy cập M5 và M6, và khi tới lượt, điều khiển cho tới mỗi cell sẽ được kết nối tới các đường bit: BL và BL. Đường bit được sử dụng để truyền dữ liệu cho cả hai tác vụ đọc và ghi. Mặc dù việc có cả hai đường bit là không bắt buộc, những hầu hết đều cung cấp cả hai để cải thiện biên nhiễu tín hiệu.

Kích thước của một bộ nhớ SRAM với m đường địa chỉ và n đường dữ liệu là 2m từ, tức 2m × n bit.

So sánh các loại bộ nhớ

[sửa | sửa mã nguồn]
Loại Mất dữ liệu
khi mất điện
Khả năng ghi Cỡ xoá Xoá
nhiều lần
Tốc độ Giá thành
(theo byte)
SRAM Byte Không giới hạn Nhanh Đắt
DRAM Byte Không giới hạn Vừa phải Vừa phải
Masked ROM Không Không Không sẵn sàng Không sẵn sàng Nhanh Không đắt
PROM Không Một lần, yêu cầu
thiết bị chuyên dụng
Không sẵn sàng Không sẵn sàng Nhanh Vừa phải
EPROM Không Có, nhưng cần
thiết bị chuyên dụng
Toàn bộ Giới hạn Nhanh Vừa phải
EEPROM Không Byte Giới hạn Nhanh cho đọc,
chậm cho xoá và ghi
Đắt
Flash Không Sector Giới hạn Nhanh cho đọc,
chậm cho xoá/ghi
Vừa phải
NVRAM Không Byte Không giới hạn Nhanh Đắt

Tham khảo

[sửa | sửa mã nguồn]