Арсенід галію

Арсені́д га́лію (GaAs) — кристалічна речовина із кристалічною ґраткою типу цинкова обманка.

Арсенід галію
Кристалічна ґратка
Зразок Арсеніду галію
Ідентифікатори
Номер CAS	1303-00-0
PubChem	14770
Номер EINECS	215-114-8
Назва MeSH	gallium arsenide
RTECS	LW8800000
SMILES	[Ga-]$[As ]
InChI	InChI=1S/As.Ga
Властивості
Молекулярна формула	GaAs
Молярна маса	144.645 г/моль
Молекулярна маса	143.847177329 г/моль
Зовнішній вигляд	Дуже темно-червоні, склоподібні кристали
Запах	часнику при зволоженні
Густина	5.3176 г/см3
Тпл	1238
Розчинність (вода)	нерозчинний
Розчинність	розчинний в хлоридній кислоті, етанолі, метанолі, ацетоні
Показник заломлення (nD)	3.8
Структура
Кристалічна структура	цинкова обманка
Просторова група	T2d-F-43m
Період кристалічної ґратки
Координаційна геометрія	чотирьохгранний
Геометрія	лінійний
Небезпеки
MSDS	External MSDS
ГГС піктограми
ГГС формулювання небезпек	301, 331, 410
ГГС запобіжних заходів	261, 273, 301 310, 311, 501
Класифікація ЄС	T N
R-фрази	R23/25, R50/53
S-фрази	(S1/2), S20/21, S28, S45, S60, S61
NFPA 704	1 3 2 W
Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа)
Інструкція з використання шаблону
Примітки картки

Прямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 1,424 еВ. Широко використовується для створення напівпровідникових пристроїв, багатошарових структур, квантових точок, дротин й ям.

Належить до класу інтерметалічних сполук елементів ІІІ і V груп періодичної системи елементів, скорочено — сполуки A^IIIB^V (англ. III-V Compounds).

Кристалічна ґратка

Нанокристалічна поверхня

Арсенід галію має кубічну гранецентровану ґратку типу ґратки цинкової обманки.

Методи отримання

Арсенід галію отримують, сплавляючи чисті арсен (As) і галій (Ga) у кварцовій колбі при температурі близько 1240 °C при тиску пари близько 1000 ГПа. Кристали ростуть із зародків, що утворюються самовільно.

Для отримання монокристалів використовують також методи направленої кристалізації (горизонтальний метод Бріджмена), витягування з розплаву (метод Чохральського) і зонного плавлення.

Тип провідності й рухливість носіїв заряду в кристалах залежить від концентрації домішок, що залишаються при виготовлені. Найважливішими з них є кремній та мідь, які переходять в арсенід галію з кварцу (кремній) і тигелів чи ампул (мідь). Кремній є донором ^{[джерело?]}, тому здебільшого отримані кристали мають n-тип провідності.

Джерела

• Отфрид Маделунг, «Физика полупроводниковых соединений элементов ІІІ и V групп» (перевод с англ.), М. «Мир» — 1967, 478 с.
• Курносов А. И. (1980). Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. Москва: Высшая школа.(рос.)