Sari la conținut

IPRS

De la Wikipedia, enciclopedia liberă
Sigla IPRS

IPRS (Întreprinderea de Piese Radio și Semiconductori) Băneasa a fost o companie producătoare de componente electronice și aparatură electronică și electrotehnică din România. A fost înființată în anul 1962.[1]

Compania se întindea pe o platformă de 14 hectare în inima complexului de vile din Pipera[2][3]. În anul 2006, IPRS avea în proprietate două terenuri 118.845 mp în Voluntari și 2.498 mp în sectorul 2 din București, evaluate atunci la 20 milioane de euro[4].

Număr de angajați în 2002: 870[2]

Coperta catalogului ce prezintă componente produse la IPRS 1995-1996

Istoria fabricii IPRS Băneasa

[modificare | modificare sursă]

A fost înființată prin Hotărârea Consiliului de Miniștri nr. 438/1962 prin care se preciza că obiectul de activitate este “fabricarea de componente electronice pasive și semiconductoare”. A fost o întreprindere de stat de importanță republicană aparținând MICM (Ministerul Industriilor și Construcțiilor de Mașini), devenit ulterior MIMUEE, fiind subordonată CIETC (Centrala Industriei Electronice și Tehnicii de Calcul).[1]

Primele ateliere de producție au fost organizate în incinta uzinei “mamă” Electronica din str. Baicului 82, la etajul II al corpului 20, pe o suprafață de cca 4.000 mp. Aici s-au fabricat pentru prima dată în țară tranzistoare de joasă și medie frecvență, diode, condensatoare cu stiroflex și condensatoare electrolitice miniatură.[1]

Istoria  Uzinelor Electronica 

Locația finală a IPRS a fost în Băneasa, pe noua platformă industrială care ocupa un teren de 15,5 ha. Pe acest teren s-au construit 6 hale de producție care au fost gândite constructiv, funcțional și organizatoric astfel că la un moment dat fiecare din ele să poată deveni o fabrică independentă, toate având comun utilitățile, respectiv asigurarea cu fluide tehnologice. Aici s-au mutat toate activitățile desfășurate în str. Baicului nr. 82, împreună cu dotările aferente – liniile de tranzistoare cu germaniu și de rezistențe, licență THOMPSON CSF- și personalul tehnic transferat de la Uzinele Electronica. Prin dispoziția MICM nr. 392 163 din 14.11.1963 se transferă și secția de semiconductoare de la ICPE la IPRS Băneasa.[5]

Organizarea secțiilor de producție componente electronice la IPRS Băneasa[5]

[modificare | modificare sursă]

Prezentarea secțiilor este făcută în ordinea crescătoare a denumirii, anul de înființare este trecut separat.

  • Secția 2200 – Dispozitive cu Germaniu de mică putere și joasă frecvență – anul de înființare: 1962;
  • Secția 2300 – Diode și tiristoare cu Siliciu – anul de înființare: 1969;
  • Secția 2400 – Circuite integrate – anul de înființare: 1970;
  • Secția 2500 – Tranzistoare și diode cu siliciu de mică putere – anul de înființare: 1974;
  • Secția 2700 – Componente pasive – anul de înființare: 1962;

Funcționarea fabricii este strâns legată de alte compartimente și secții, dintre care enumerăm:[a]

  • Atelierul Mecanicul Șef (puțuri de mare adâncime, neutralizări ape reziduale, etc.); 1962
  • Cabinet tehnic; 1962
  • Serviciul investiții (coordonare lucrări investiții); 1962
  • CTC (Control Tehnic de Calitate); 1962
  • Servicii separate de Cercetare-Poiectare-Control și s-au dat în folosință primele laboratoare independente; 1965
  • S 2100 Autoutilare, desprinsă din Mecanicul Șef; 1967
  • Sculăria pentru realizarea de SDV-uri (Scule și Dispozitive pentru Verificat); 1969
  • In 1972 se introduce conceptul de Secție integrată, cu: proiectare, cercetare, dezvoltare, investiții, producție;
  • Oficiul de calcul; 1973
  • Serviciul de marketing; 1973
  • Serviciul de colaborări s-a înființat în 1976 pentru a mări gradul de integrare a subansamblelor;

SECȚIA 2200 dispozitive cu germaniu

[modificare | modificare sursă]

Secția 2200 ’’Dispozitive cu germaniu de mică putere și joasă frecvență’’ a început producția pe bază de licență, cu o capacitate de producție de 300.000 diode/lună pe care a dezvoltat-o până la 700.000 Diode/lună[1], astfel:

  • 1963 > S-au produs primele tranzistoare cu germaniu de joasă frecvență și drift (licență Compagnie Générale de Semi-conducteurs[b] (COSEM), integrată ulterior în THOMPSON CSF); Ulterior prin efort propriu s-au produs diode redresoare și zener aliate cu germaniu în capsule de tranzistor, seria DZ și fotodiode cu germaniu;
  • 1973 > Realizarea prin autoutilare a liniei completă pentru fabricarea diodelor cu Germaniu cu o producție de peste 1.000.000 de diode/lună;
  • 1982 > S-a oprit fabricația componentelor cu germaniu și a început fabricația montajelor de mare putere și a jucăriilor electronice.

Tipurile de produse realizate în Secția 2200 au fost:

    • Diode redresoare: EFR115, EFR OB, EFR135, EFR135A, EFR135B, EFR136, EFR136A, EFR136B;
    • Diode pentru semnale de mică putere: seriile AAxxx, EFDxxx, 1Nxxx;
    • Tranzistoare cu germaniu:
      • a) Tranzistoare PNP și NPN de joasă frecvență și mică putere: AC180(K), AC181(K), AC183(K), AC184(K), AC185(K), AC187(K), AC188(K) și seria EFT301- EFT377;
      • b) Tranzistoare PNP de joasă frecvență și medie putere: seria AD152, AD155;
      • c) Tranzistoare PNP de joasă frecvență și putere mare, din seriile: AD130, AD131, AD132, AD149, ASZ15, ASZ16, ASZ17, ASZ18, AUY31, AUY32, EFT212, EFT213, EFT214, EFT250.[a]

Diode cu germaniu

[modificare | modificare sursă]
DF1 fotodiodă cu germaniu 1963, primul produs concepţie proprie
DF1 fotodiodă cu germaniu 1963, primul produs concepţie proprie  
EFD108 Diodă cu germaniu cu contact punctiform
EFD108 Diodă cu germaniu cu contact punctiform  
EFD108 Diodă cu contact punctiform
EFD108 Diodă cu contact punctiform  
EFD115 Diodă cu germaniu cu contact punctiform
EFD115 Diodă cu germaniu cu contact punctiform  
EFD115 Diodă cu contact punctiform
EFD115 Diodă cu contact punctiform  
Diodă rederesoare cu germaniu
Diodă rederesoare cu germaniu  

Tranzistoare cu germaniu de mică putere

[modificare | modificare sursă]
Comparaţie între tipurile de capsule utilizate în primii ani, EFT125 (stânga) şi EFT 123 (centru) şi varianta clasică TO-1, un EFT322 (dreapta).
Comparaţie între tipurile de capsule utilizate în primii ani, EFT125 (stânga) şi EFT 123 (centru) şi varianta clasică TO-1, un EFT322 (dreapta).  
PNP Germaniu 350mW 24V 500mA 1 MHz
PNP Germaniu 350mW 24V 500mA 1 MHz  
PNP Germaniu 150mW 24V 250mA 0.2MHz 1962
PNP Germaniu 150mW 24V 250mA 0.2MHz 1962  
PNP Germaniu 150mW 20V 10mA 5MHz 1960s
PNP Germaniu 150mW 20V 10mA 5MHz 1960s  
PNP Germaniu 24V 250mA 200mW 1960s
PNP Germaniu 24V 250mA 200mW 1960s  
PNP Germaniu 24V 100mA 200mW 1960s
PNP Germaniu 24V 100mA 200mW 1960s  
PNP Germaniu 24V 250mA 200mW 650KHz
PNP Germaniu 24V 250mA 200mW 650KHz  
PNP Germaniu 150mW 20V 10mA 17MHz
PNP Germaniu 150mW 20V 10mA 17MHz  
PNP Germaniu 24V 250mA 200mW 1MHz
PNP Germaniu 24V 250mA 200mW 1MHz  
PNP Germaniu 150mW 20V 10mA 1.2MHz
PNP Germaniu 150mW 20V 10mA 1.2MHz  

Tranzistoare cu germaniu de putere medie

[modificare | modificare sursă]
PNP Germaniu 70V 3A 30W
PNP Germaniu 70V 3A 30W  
PNP Germaniu 40V 3A 30W
PNP Germaniu 40V 3A 30W  
PNP Germaniu 60V 3A 30W
PNP Germaniu 60V 3A 30W  
PNP Germaniu 80V 3A 30W
PNP Germaniu 80V 3A 30W  
PNP Germaniu 80V 3A 30W
PNP Germaniu 80V 3A 30W  
PNP Germaniu 60V 10A 20W
PNP Germaniu 60V 10A 20W  
PNP Germaniu 100V 8A 30W
PNP Germaniu 100V 8A 30W  

A fost înființată în anul 1968 având ca obiect principal producția de diode și tiristoare cu siliciu. Ulterior, prin efort propriu, s-a dezvoltat și producția de diode și punți redresoare pentru activități industriale.[5]

Tipurile de produsele realizate în Secția 2300 au fost[1]:

  • Diode redresoare lente, rapide (din 1979) și cu avalanșă controlată, până la 80 A curent mediu de conducție, tensiune de blocare până la 2000 V și temperatura maximă de funcționare a joncțiunii de până la 190°C, cu diferite tipuri de capsule: plastic, DO-4 și DO-5, TO-220, metalic;
  • Diode stabilizatoare de tensiune în tehnologia planar epitaxială, până la 50 W cu tensiuni de stabilizare între 6,8 V și 200 V în capsule metalice;
  • Diode zener aliate cu siliciu de: 0,2W, 0,4W, 1W, 4W, 10W, 20W, 50W (ultimele două tipo-variante fiind realizate pe concepție proprie);
  • Tiristoare normale și rapide disc și bază plată, de la 1 A și 3 A în capsule TO-220 utilizate des în schemele de comutare forțată și de 50 A și 200 A în capsule metalice (realizate pe licență), destinate electronizării locomotivelor LDE și LE;
  • Triace până la 10 A și 800 V și diace;
  • Punți redresoare (din 1977), tipul 1PM-3PM și punțile cu capsulă miniaturizată destinate activităților industriale, ca: panouri de comandă pentru mașini unelte, acționarea electrovanelor și electroventilelor, alimentarea excitației motoarelor electrice sincrone sau de curent continuu, alimentarea frânelor electromagnetice ale motoarelor electrice, alimentarea electromagneților de acționare, redresoare pentru încărcarea acumulatoarelor;
  • Module funcționale de putere, conținând diode și tiristoare, având curentul mediu redresat în gama 80-100 A și tensiunea de blocare de până la 1800 V. Varianta maximă fabricată la IPRS a fost modulul având un curent mediu redresat de 160-250 A.
  • Electronica pentru automobile. Pentru domeniul auto, secția a produs cunoscuta diodă din familia RA, încapsulată inițial în capsulă metalică, ulterior în plastic, tranzistoare Darlington și TBA315 – temporizatorul integrat de putere folosit în circuitele electronice de semnalizare a direcției sau avariei, a ștergătoarelor de parbriz și comanda pompei de curățarea parbrizului.

Diode și punți redresoare

[modificare | modificare sursă]
Diode de semnal mic
Diode de semnal mic  
Diode varicap
Diode varicap  
Diode zener
Diode zener  
Diode zener 100V 1W
Diode zener 100V 1W  
Diode redresoare 6.8A 800V
Diode redresoare 6.8A 800V  
Diodă redresoare cu siliciu în capsulă tip EFR, 1970
Diodă redresoare cu siliciu în capsulă tip EFR, 1970  
Punte redresoare 3A 60V
Punte redresoare 3A 60V  
Secţiune printr-o diodă de 355A, 2000V
Secţiune printr-o diodă de 355A, 2000V  
250A 1.8KV
250A 1.8KV  
63A 1.6KV
63A 1.6KV  
MTT210 Modul cu două tiristoare, 210A, 1.6KV
MTT210 Modul cu două tiristoare, 210A, 1.6KV  

următoarele repere:

Tipurile de produse realizate în această secție au fost:[1]

  • Circuite integrate digitale seria CDB, cu tehnologia planar epitaxială, seria normală (standard) și rapidă de 5 V.

Primele fabricate în România au fost similare celor cu indicativul 74 (conform cu seria de circuite logice TTL produsă de Texas Instruments) seria: CDB400E

Circuite integrate digitale

[modificare | modificare sursă]
CDB400
CDB400  
CDB400
CDB400  
CDB403
CDB403  
CDB404
CDB404  
CDB416
CDB416  
CDB447
CDB447  
CDB473
CDB473  
CDB474
CDB474  
CDB475
CDB475  
CDB490
CDB490  
CDB493
CDB493  
CII 72 varianta de încapsulare metalică CLB2711
CII 72 varianta de încapsulare metalică CLB2711  
CII72(CLB2711) cristalul de siliciu
CII72(CLB2711) cristalul de siliciu  
CLB2711 cristalul de siliciu
CLB2711 cristalul de siliciu  
  • Circuite integrate liniare – CLB, pentru aplicații industriale, tehnologia planar epitaxială de 22 V. Au fost produse până în 1990 o serie de CI lente și rapide din grupele:
    • Amplificatoare operaționale – CLB2711; TCA520N; seria beta A – amplificatoare operaționale A741
    • CI de uz industrial: DAC08H, TBA315, βA – Inițial plachetele procesate și testate se importau din Franța.[1]
    • Circuite integrate analogice-liniare cu aplicații în domeniul audio, radioreceptoare și televizoare, tehnologie planar epitaxială de 16 V. S-au făcut TBA570 un circuit integrat care includea etajele de radiofrecvență și frecvență intermediară pentru aparate de radioreceptoare, A758 – un decodor stereo și TCA150 un etaj final audio. Cu o asemenea schemă produsele Uzinele Electronica erau atunci la nivelul de vârf al tehnicii 1974 – a început producția pe o linie - licență de la firma ITT–Intermetall, licență completă mondială. Pentru televizoare s-au produs circuitele integrate TBA790K/790T - pentru o putere 2.5 W; TAA661; TAA550; TDA440; TBA950; TDA1170

Circuite integrate analogice

[modificare | modificare sursă]
A723C
A723C  
TBA120U
TBA120U  
TBA570A
TBA570A  
TBA950/1
TBA950/1  
TBA950/2
TBA950/2  
TBA790T
TBA790T  
TCA150
TCA150  
AA145
AA145  
L107
L107  
M3900A
M3900A  
E555E
E555E  
A741
A741  
CLB2711EC
CLB2711EC  
TDA1170S
TDA1170S  
TBA810AS
TBA810AS  
TDA2030
TDA2030  

Până în 1990 s-au fabricat 90 de tipuri de CI digitale, seriile standard, varianta rapidă - HE și varianta pentru temperaturi până la 125°C – EM și 70 de tipuri de CI liniare.[1]

SECȚIA 2500 tranzistoare și diode de mică putere cu siliciu

[modificare | modificare sursă]

Secția 2500 a produs tranzistoare și diode de mică putere cu siliciu, tranzistoare în capsule de plastic: capsulă TO-92,varianta cu fire și ulterior variante SMD, capsule SOT-32. În timp s-au realizat multe îmbunătățiri tehnologice pentru linia de diode planar-epitaxiale în capsulă de sticlă DO-35.[a]

  • 1976 > A intrat în funcțiune linia de producție pentru tranzistoarele de putere hometaxiale pe baza cooperării cu firma SOLITRON;
  • 1979 > Toată producția de tranzistoare și diode din Secția 2500 se realiza cu structuri produse în IPRS - Băneasa;

Gama de produse s-a diversificat prin tehnologii proprii pentru diode de comutație rapidă, diode Zener 0,5 W, diode Zener 1,3 W, diode cu avalanșă controlată, diode picoamperice, diode varicap cu plajă mare de capacitate, diode termocompensate și diode termocompensate integrate;

  • 1978–1981 > Au fost omologate și au intrat în producție primele dispozitive de microunde din țară: diodele IMPATT și diode GUNN cu puteri generate de 10 mW, 100 mW, 350 mW și 500 mW în banda de frecvențe de 8 – 12 GHz Aceste dispozitive au intrat în componente de tip oscilator și amplificator de ghid dreptunghiular cu aplicații civile și militare;
  • 1983 > S-au dezvoltat pe bază de brevete 4 tehnologii de fabricație pentru tranzistoarele de putere, comutație și înaltă tensiune;
  • 1984 > A fost realizată dioda BARITT (siliciu) - generatoare de microunde: cu puteri generate în microunde de 1….30 mW în banda N, la tensiuni de alimentare între 30 și 70 V.
  • 1987 > A început producția de diode Schottky, în capsulă TO-92 - dispozitive cu siliciu cu frecvența maximă de funcționare de 2 GHz;
  • 1986 > S-au realizat prin efort propriu:
    • Prototipurile tranzistoarelor industriale BUS11, BUS12, BUW22 și BUW23;
    • Prototipul tranzistorului pentru aprindere electronică BU930;
    • Prototipul tranzistorului gigant GT250.

Realizări:

  • S-au asimilat 16 familii de tranzistoare în capsulă TO-92, 8 familii de tranzistoare noi în capsula SOT-32, 5 noi familii de tranzistoare la TO-18 și TO-72 și 7 familii de tranzistoare TO-39; familii de tranzistoare cu capsule tip F 22; TO-3.
  • Oscilatoare de frecvență fixă pentru dirijarea navigației pe canalul Dunăre Marea Neagră
  • Oscilatoare de frecvență variabilă acordate cu varactor (colaborare cu CCSITS)
  • Oscilatoare de putere (300 mW), oscilatoare de mare stabilitate a frecvenței și cu zgomot redus,
  • În colaborare cu IPB: Sistemul de transmisie de date DELTA.
  • În 1984 IPRS Băneasa împreună cu ICSITE au omologat și introdus în fabricație traductorul Doppler TDX 09, componentă care a intrat în produsul “Dispozitiv volumetric pentru pază cu microunde a încăperilor” fabricat de I. Automatica.

Tranzistoare de mică putere

[modificare | modificare sursă]
BF167
BF167  
BF257
BF257  
BSX12S
BSX12S  
2N4957
2N4957  
BC108C
BC108C  
BC177
BC177  
BC179
BC179  
BSX12S cristalul de siliciu
BSX12S cristalul de siliciu  
BFY90 cristalul de siliciu
BFY90 cristalul de siliciu  
BC179 cristalul de siliciu
BC179 cristalul de siliciu  
2N2222 cristalul de siliciu
2N2222 cristalul de siliciu  

Tranzistoare de putere

[modificare | modificare sursă]
NPN 17W 140V 15A 800KHz
NPN 17W 140V 15A 800KHz  
SDT9204 cristalul de siliciu
SDT9204 cristalul de siliciu  
NPN 55V 4A 29W
NPN 55V 4A 29W  
NPN 400V 10A 100W
NPN 400V 10A 100W  
NPN 80V 1A 6.5W
NPN 80V 1A 6.5W  
NPN cu diodă integrată 200V 15A 60W
NPN cu diodă integrată 200V 15A 60W  
NPN 250V 20A 150W
NPN 250V 20A 150W  
2N5872B NPN 120V 7A 115W
2N5872B NPN 120V 7A 115W  
PNP Darlington 120V 16A 150W
PNP Darlington 120V 16A 150W  
NPN Darlington 120V 16A 150W
NPN Darlington 120V 16A 150W  
2N3442: NPN 120V 10A 117W
2N3442: NPN 120V 10A 117W  
2N3055 NPN 15A 60V 117W
2N3055 NPN 15A 60V 117W  

SECȚIA 2700 componente pasive

[modificare | modificare sursă]

A început producția pe baza experienței acumulate de specialiștii de la Uzinelor Electronica încă în anii 1955-1960[5]. În anul 1960 s-a importat de la THOMPSON CSF o linie de rezistențe care s-a montat inițial în incinta Uzinelor Electronica și în 1962 s-a transferat la IPRS Băneasa, formând Secția 2700. Dezvoltarea și diversificarea de produse fabricate în cadrul secției între 1962-1990

  • 1963 > Condensatoare auto de 9,35 μF; Linia de tronsoane ceramice pentru rezistențe chimice;
  • 1964 > Condensatoare starter pentru lămpi fluorescente;
  • 1968 > În colaborare cu firma PLESSEY s-a realizat linia de rezistențe bobinate; Linia de fabricație condensatoare balast, pe tehnologie [DUERN];
  • 1970> Linia de condensatoare miniatură; în colaborare cu firma PLESSEY; Linia de asperizare-oxidare folie de aluminiu pentru condensatoare electrolitice;
  • 1970 > Rezistențe bobinate în capsulă ceramică pentru receptoare TV; Prima mașină automată pentru condensatoare ceramice;
  • 1972 > Condensatoare de antiparazitare; Condensatoare balast tip HPA, HSA;
  • 1972 > S-a făcut import de utilaje de la firma SPRAGUE pentru condensatoare electrolitice;
  • 1973 > S-a înființat IPEE - Curtea de Argeș și s-au transferat de la IPRS liniile de rezistențe chimice, condensatoare ceramice și termistoare;
  • 1975 > Condensatoare pentru impulsuri cu dielectric mixt; Condensatoare de antiparazitare tip PMZ;
  • 1976 > Condensatoare de protecție a diodelor pentru locomotive;
  • 1978 > Componente profesionale de tip PI, industriale, naval, nuclear;
  • 1980 > S-a transferat fabricația condensatoarelor polistiren la IPEE - Curtea de Argeș și linia de circuite imprimate pe Platforma Industrială Pipera.
  • 1981 > A început producția de condensatoare electrolitice CKD, prin achiziționare de utilaje.

Condensatoare cu hârtie și folie metalizată mylar

[modificare | modificare sursă]
Condensatoare cu hârtie, 1968
Condensatoare cu hârtie, 1968  
Condensatoare cu mylar
Condensatoare cu mylar  
Condensatoare cu mylar PMP08XX
Condensatoare cu mylar PMP08XX  
Condensatoare cu mylar PMP03XX
Condensatoare cu mylar PMP03XX  
Condensatoare cu mylar PMP09XX
Condensatoare cu mylar PMP09XX  
Condensatoare cu hârtie în ulei HC24XX
Condensatoare cu hârtie în ulei HC24XX  
Condensatoare ceramice CGU3210
Condensatoare ceramice CGU3210  
Condensatoare ceramice CZZ4011
Condensatoare ceramice CZZ4011  
Condensatoare ceramice CLX3206
Condensatoare ceramice CLX3206  
Condensatoare electrolitice
Condensatoare electrolitice  
Condensatoare ceramice CLY3210
Condensatoare ceramice CLY3210  

Calitatea garantată a produselor IPRS a creat condițiile necesare vânzării acestor componente și pe piața externă. Astfel, s-au exportat aproximativ 30% din producția valorică, respectiv 25% din producția fizică. Produse reprezentative la export au fost[5]:

  • Diode 1N4148, BA244, BB126
  • Tranzistoarele BC171-174, BF 173, BF 458, 2N2222, 2N2369A
  • Punți auto de 40 A și 60 A
  • Jucăriile electronice
  • Circuite integrate

În anul 2003, Elmefa B.V - un holding olandez specializat în producția electrică și electronică - a încercat fără succes să cumpere IPRS Băneasa de la APAPS dar a fost eliminat de la privatizare[6]. În septembrie 2003, pachetul majoritar de 51,4% de acțiuni a fost cumpărat de la AVAS (fosta APAPS) de compania Ogharit Trading CO Siria, controlată de omul de afaceri Omar Hayssam[7]. Ogharit Trading a venit cu o ofertă de 3,1 milioane de euro în care era inclusă și plata datoriilor societății[8]. Dar, după aceea, statul român a șters aproape toată datoria IPRS, astfel că în realitate Ogharit Trading a cumpărat societatea pentru suma de 140.000 de euro[8]. După ce au preluat societatea, sirienii nu au făcut nici o investiție[8]. S-a vorbit la un moment dat doar de camioane care plecau din întreprindere încărcate cu „fier vechi”[8]. Societatea siriană avea obiect de activitate import-export de mărfuri generale și de construcții, neavând ca obiect principal de activitate domeniul tehnologiei informațiilor[7]. De asemenea, societatea fusese înființată în anul 2001, astfel că, și în situația în care ar fi avut acest obiect de activitate, nu ar fi îndeplinit un alt criteriu de precalificare stabilit de APAPS, respectiv experiență de cinci ani în domeniul tehnologiei informațiilor și comunicațiilor[7]. Cu toate acestea, abia după condamnarea lui Omar Hayssam pentru acte de terorism în cazul răpirii jurnaliștilor români în Iraq, autoritățile române și-au dat seama de faptul că firma Ogharit Trading nu avea calitatea necesară de investitor strategic[7]. Autoritățile au anulat contractul de privatizare și au anunțat că vor încerca să mențină obiectul de activitate al firmei[3]. Până în decembrie 2006, AVAS a vândut 1,4 hectare din terenul companiei către familia libaneză Jabra[3]. La data de 15 iunie 2007, Tribunalul București a decis anularea contractului de vânzare-cumpărare a pachetului majoritar de acțiuni către Ogharit Trading[7].

  1. ^ a b c d e f g h CONSTANTINESCU, Ion; MILLEA Nona; DIDIV Doina; DRAGULANESCU Nicolae; MARAI Gheorghe; MILLEA Aurel; MIU Ion; MURARU Anton (). Un secol de electronică în România. Academiei Romane. pp. 397–428. ISBN 978-973-27-3378-3. 
  2. ^ a b La IPRS Baneasa, cea mai mare fabrica de componente electronice, s-au stins luminile[nefuncțională], 26 mar 2002, adevarul.ro, accesat la 4 noiembrie 2010
  3. ^ a b c AVAS vinde pe bucati terenul IPRS Baneasa, 7 dec 2006, gandul.info, accesat la 4 noiembrie 2010
  4. ^ Sirienii vor inapoi la Baneasa SA Arhivat în , la Wayback Machine., 17 martie 2006, sfin.ro, accesat la 4 noiembrie 2010
  5. ^ a b c d e f Millea, Nona. Mircea IGNAT, ed. Revista de istorie a Electrotehnicii Românești. 5. Florin Teodor TĂNĂSESCU. ICPE-CA. pp. 75 – 81. ISSN 2066-7965. 
  6. ^ APAPS a hacuit celebra IPRS Baneasa ca sa vanda terenurile unor sereleuri, 4 feb 2003, adevarul.ro, accesat la 4 noiembrie 2010
  7. ^ a b c d e Hayssam a pierdut IPRS Băneasa, 15 iun 2007, adevarul.ro, accesat la 4 noiembrie 2010
  8. ^ a b c d Omar Hayssam, sirianul care a pus mana pe Baneasa SA, dat in consemn la frontiera, 15 feb 2005, adevarul.ro, accesat la 4 noiembrie 2010
  1. ^ a b c Informații preluate și din interviurile cu d-na Doina Didiv, dl. Radu Coteț, d-na Magda Gheorghiță, dl. Bodea Danuț, d-na Staicu Liliana, dl. Popa Eugen si dl. Maris Bădescu, publicate de Nini Vasilescu pe site-ul www.radioamator.ro.
  2. ^ Începuturile dezvoltării industriei semiconductoarelor în Franța au fost dominate de două mari firme comerciale:
    • 1. Compagnie Générale de télégraphie Sans Fil (CSF), care, deși nu au cumpărat o licență de fabricare a tranzistoarelor de la Bell Laboratories și se pare ca nici nu au avut un aranjament cu firma RCA, spre deosebire de mulți dintre primii producători de semiconductoare, au reușit totuși să producă componente semiconductoare bazate pe dezvoltarea unor produse proprii. La mijlocul anilor 1950, CSF a creat o divizie separată pentru producția de semiconductori, numită Compagnie Générale de Semi-conducteurs (COSEM). De la această firmă au reușit Uzinele Electronica să achiziționeze licențele pentru producerea semiconductoarelor cu germaniu.
    • 2. Al doilea producător francez important de semiconductori a fost Compagnie Française Thomson-Houston (CFTH), care era de fapt o subsidiară a firmei General Electric Company din SUA. Compagnie Française Thomson-Houston (CFTH), a format un parteneriat cu firma General Electric (SUA) în anul 1961, sub denumirea de Société Européenne des Semi-Conducteurs (SESCO). Mai târziu, în 1966, CFTH a fuzionat cu firma Hotchkiss-Brandt pentru a forma o nouă companie, sub denumirea de Thomson-Houston-Hotchkiss-Brandt (și ulterior redenumit Thomson-Brandt).
    • În 1968, divizia de componente și produse electronice a firmei Thomson-Brandt a fuzionat cu CSF pentru a forma firma Thomson-CSF. Cele două firme SESCO și COSEM au fuzionat în 1969 pentru a forma SESCOSEM.
    • În iunie 1987, compania italiană SGS (Società Generale Semiconduttori) a fuzionat cu Thomson Semiconducteurs pentru a forma SGS-Thomson. SGS-Thomson a fost redenumită ulterior STMicroelectronics în mai 1998.[1].
  • Catalog IPRS Băneasa-Tranzistoare, Diode, 1970-1971; tiparită la editura Tehnică în anul 1970
  • Diode si Tiristoare / Diodes and Thyristors; lucrare elaborată de I.P.R.S Băneasa/Institutul de Cercetări pentru Componente Electronice, 1976 – 1977
  • Circuite integrate digitale-Catalog - I.P.R.S. Băneasa 1978-1979; lucrare elaborată de către Institutul de Cercetări pentru Componente Electronice, în colaborare cu IPRS Băneasa, 1978
  • Circuite integrate liniare, vol. 1 - Manual de utilizare; A. Vătășescu, M. Bodea, A. Hartular, B. Schuster, D. Crăcea, Ș. Lungu, V. Gheorghiu, I. Mihuț, R. Savin. Editura: Tehnică, 1979
  • Circuite integrate liniare, vol. 2 - Manual de utilizare; M. Bodea, A. Vătășescu, A. Hartular, S. Lungu, N. Marinescu, A. A. Vild-Maior. Editura: Tehnică, 1980
  • Tranzistoare - Transistors 1981-1982; lucrare elaborată de către IPRS Băneasa în colaborare cu Institutul de Cercetări pentru Componente Electronice, 1981
  • Semiconductors Quick Reference Guide, 1982; Publicată de Întreprinderea de stat pentru comerț exterior "Electronum", București, România
  • Circuite integrate analogice; autori: R. Râpeanu, O. Chirică, V. Gheorghiu, A. Hartular, N. Marinescu, A. Năstase, S. Negru, A. Segal, G. Tănase. Tiparită la editura Tehnică, 1983
  • Componente Electronice-Catalog-I.P.R.S. Băneasa, 1984
  • Circuite integrate liniare, vol. 3 - Manual de utilizare; M. Bodea, A. Vătășescu, N. Marinescu, A. Segal, R. Râpeanu, S. Puchianu, V. Gheorghiu. Editura: Tehnică, 1984
  • Tiristoare si module de putere. Catalog; scrisă de N. Iosif, D.M. Luca, M. Udrea-Spenea, E. Popa, Gh. Boulescu, G. Primejdie, Editura Tehnică, 1984
  • Circuite integrate digitale-Catalog - I.P.R.S. Băneasa; lucrare elaborată de către Institutul de Cercetări pentru Componente Electronice, 1984
  • Circuite integrate liniare, vol. 4 - Manual de utilizare; M. Bodea, A. Vătășescu, G. Tănase, S. Negru, A. Năstase, V. Gheorghiu, N. Marinescu. Editura: Tehnică, 1985
  • Diode cu siliciu - Catalog; Petru Alexandru Dan, Dan Mihai Luca, Adrian Albu, Tudor Dunca, George Primejdie, tiparită la editura Tehnică, 1986
  • Tranzistoare cu Siliciu (Silicon Transistors) - Ediție bilingvă; T. Dunca, Dan Raiu, tiparită la editura I. P. R. S. Băneasa, 1989
  • Full Line Condensed Catalog 1995–1996; I.P.R.S. Băneasa, 1995

Legături externe

[modificare | modificare sursă]