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같은 날 기조연설…AI 시대 겨냥 솔루션 소개
낸드업계 최대 행사…올해 D램까지 영역 확장
HBM 뒤이을 차세대 솔루션 CXL 세션 대폭 늘어
[헤럴드경제=김현일 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 미국에서 열리는 글로벌 낸드플래시 업계 최대 행사 ‘플래시메모리서밋(FMS) 2024’에 참가해 나란히 기조연설에 나선다.
올해 행사는 낸드플래시 뿐만 아니라 인공지능(AI) 시대 각광받는 고대역폭 메모리(HBM), 저전력 D램(LPDDR) 등 최신 D램 제품으로 범위를 대폭 확장했다. 특히 HBM의 뒤를 이어 차세대 메모리 솔루션으로 평가받는 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL) 관련 세션이 10개 마련돼 예년과 다른 구성으로 눈길을 끌고 있다.
삼성전자와 SK하이닉스는 기조연설 등을 통해 다양한 AI 메모리 솔루션을 제시하며 차세대 시장을 선도할 전략을 공유할 계획이다. 이밖에 SK하이닉스의 미국 자회사 솔리다임과 일본 키옥시아, 미국 웨스턴디지털·마이크론 등 글로벌 메모리 업체들도 대거 참여한다.
23일 업계에 따르면 오는 6~8일 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열리는 FMS2024에서 삼성전자와 SK하이닉스가 같은 날 기조연설에 나선다.
삼성전자는 행사 첫 날 ‘AI 혁명 : 메모리 및 스토리지에 대한 새로운 수요 증가’를 주제로 30분간 기조연설을 진행한다. 짐 엘리엇 미주총괄 부사장, 오화석 솔루션제품엔지니어링팀 부사장, 송택상 메모리사업부 D램 솔루션팀 상무가 연단에 오른다.
앞서 오화석 부사장은 올 3월 열린 ‘차이나플래시마켓서밋(CFMS) 2024’에서도 기조연설을 통해 CXL와 낸드플래시 솔루션 ‘PM9D3A’ 등을 소개한 바 있다. 송택상 상무는 미국 반도체 기업 마이크론과 램버스 등을 거쳐 올 2월 삼성전자에 합류해 현재 CXL 제품 개발을 이끌고 있다.
세 임원은 이번 기조연설에서도 CXL 기술의 최신 표준인 CXL 3.1 메모리 모듈과 고용량 서버 메모리 모듈인 256GB RDIMM, 기존 D램 모듈보다 데이터 전송속도가 빠른 512GB MRDIMM 등 최신 D램 기술을 다룰 예정이다.
앞서 최장석 삼성전자 메모리사업부 상무는 지난 18일 기자단 브리핑에서 인텔과 AMD가 CXL 3.1을 지원하는 서버용 프로세서를 출시하는 2026년에 CXL 3.1 기반 시장이 본격 형성될 것이라고 전망한 바 있다.
CXL은 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU), 저장장치(스토리지) 등 다양한 장치를 연결해 보다 빠른 연산 처리를 지원하는 차세대 인터페이스다. 삼성전자는 HBM의 뒤를 이어 CXL이 AI 산업을 주도할 메모리 솔루션이 될 것으로 보고 시장 선점을 노리고 있다. 올해 하반기 CXL 2.0을 지원하는 256GB D램(CMM-D) 양산을 준비 중이다.
삼성전자는 기조연설 외에도 데이비드 매킨타이어 제품기획 이사, 아담 만자라네스 시니어 매니저 등이 CXL을 다루는 개별 세션에 참석해 프레젠터로 나설 예정이다.
SK하이닉스는 이번 기조연설에 권언오 부사장과 김천성 부사장을 내세운다. 각각 고부가가치 D램인 HBM과 고부가가치 낸드 제품인 솔리드스테이드드라이브(SSD) 개발을 담당하는 임원들이다.
작년 말 인사에서 임원으로 신규 선임된 권 부사장은 올 4월 미국 샌타클래라에서 TSMC가 주최한 ‘2024 테크놀로지 심포지엄’에 참가해 ‘HBM과 이종 집적 기술’ 등에 대해 발표한 바 있다. 김 부사장은 2015~2019년 SK하이닉스 미국 새너제이 법인에서 근무했으며 2019년 12월 임원으로 승진했다. 상대적으로 외부 노출이 적었던 만큼 이번 기조연설이 데뷔전 성격을 갖는다.
두 임원은 이번 기조연설을 통해 빠른 데이터 처리와 대용량 데이터 저장을 지원하면서 전력소모는 최소화한 자사 AI 메모리, 스토리지 기술력을 소개할 것으로 예상된다. 이밖에도 최정민 SK하이닉스 수석 엔지니어가 CXL 메모리 풀링 시스템을 다루는 세션에 프레젠터로 이름을 올렸다.
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