김주선 하이닉스 사장 첫 참가
TSMC 핵심 경영진과 대담
엔비디아 젠슨 황과도 회동
차세대 HBM4 개발·탑재 협업
글로벌 인공지능(AI) 반도체 연합 전선이 더욱 두터워지고 있다. 엔비디아를 중심으로 파운드리(위탁생산) TSMC, 메모리 SK하이닉스가 뭉친 삼각 편대가 또다시 협력 강화에 나선다. 9일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 9월 대만에서 열리는 반도체 종합 전시회 '세미콘 타이완'에서 '팀 엔비디아'의 협력 강화에 대해 발표할 예정이다.
이를 위해 김주선 SK하이닉스 사장이 세미콘 타이완에 기조연설자로 나선다. SK하이닉스가 세미콘 타이완 기조연설에 참여하는 것은 이번이 처음이다.
세미콘 타이완은 SEMI가 주최하는 대만 최대 규모의 반도체 산업 전시회다. 이곳에서 글로벌 기업들은 반도체 재료·장비와 관련 기술을 선보인다. TSMC 등 대만 기업을 필두로 1000여 개 기업이 참여한다.
김주선 사장은 기조연설 이후 TSMC 핵심 경영진과 대담하면서 차세대 고대역폭메모리(HBM) 협력 강화 방안을 발표할 예정이다.
앞서 SK하이닉스는 지난 3월 TSMC와 손잡고 차세대 제품인 HBM4를 개발해 2026년에 양산하겠다고 밝혔다. 두 회사가 긴밀한 협업을 시작한 것은 HBM에 파운드리의 첨단 공정 기술이 필요해졌기 때문이다.
HBM이 주로 쓰이는 AI 칩 성능이 점점 고도화되면서 전력 소모와 데이터 병목 현상을 줄이는 게 최대 과제가 됐다. 한정된 공간 안에 D램을 더 높이, 촘촘하게 쌓는 것이 한계 상황에 봉착했다. 이를 위해 SK하이닉스가 첨단 패키징 분야 1위인 TSMC와 아예 HBM 개발까지 함께한다는 것이다.
SK하이닉스는 TSMC의 로직 공정을 베이스 다이에 활용하기로 했다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이를 쌓아 올린 뒤 이를 수직 연결해 만든다. 베이스 다이는 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다.
SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이다.
SK하이닉스는 이번 포럼에서 TSMC와 협업해 개발 중인 HBM4의 소비 전력이 당초 목표보다 20% 이상 절감됐다는 성과 등을 소개할 것으로 알려졌다.
TSMC는 SK하이닉스와 함께 발표하고, 젠슨 황 엔비디아 대표와도 좌담회를 할 것으로 알려졌다. TSMC를 연결고리로 엔비디아와 SK하이닉스가 이어지는 삼각 동맹이 공식 석상에서 증명되는 것이다.
젠슨 황 대표가 세미콘 타이완에 연설자로 참여하는 것도 이번이 처음이다. 그가 반도체 장비 행사인 세미콘 타이완에 직접 참석하는 이유 역시 본인들의 동맹에 힘을 싣기 위해서다. 시스템 반도체와 파운드리, 메모리 반도체가 한 기업처럼 유기적으로 돌아갈 수 있어야 경쟁력을 확보할 수 있다는 취지다.
[오찬종 기자]
