삼성 파운드리 포럼·SAFE 포럼 개최
삼성전자는 오는 9일 서울 강남구 코엑스에서 삼성 파운드리·SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼을 개최한다. 지난달에는 미국 실리콘밸리에서 포럼을 개최해 파운드리 전략과 로드맵을 밝힌 바 있다. 당시 삼성전자는 ‘3나노 이하’ 공정부터는 세계 1위 TSMC를 꺾겠다는 자신감을 드러냈다.
앞서 삼성전자는 “목표 성능과 수율을 확보하고 있다”며 2027년까지 1.4나노 공정을 양산하겠다는 계획을 재확인한 바 있다. 2027년 후면전력공급(BSPDN) 기술을 적용한 2나노 공정(SF2Z)도 준비한다. BSPDN은 전류 배선층을 웨이퍼 후면에 배치해 전력·신호 병목 현상을 개선하는 기술이다.
TSMC를 이길 열쇠로는 GAA 공정이 꼽힌다. 앞서 송태종 삼성전자 파운드리사업부 상무는 “현재 GAA를 제공하는 파운드리는 삼성전자가 유일하다”고 강조했다. 전류가 흐르는 채널 4개면을 감싼 GAA는 핀펫(FinFET) 구조보다 성능과 전력 효율이 뛰어나다.
삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 GAA를 적용한 3나노 양산에 성공했다. TSMC도 2나노 공정부터는 GAA를 적용하겠다며 삼성전자를 뒤쫓고 있다. TSMC는 내년에 투자 규모를 320억달러~360억달러까지 늘릴 계획이다. 최대 50조원을 투입해 2나노 경쟁에 나서겠다는 것이다. 2나노 양산도 2025년말이나 2026년께 이뤄질 것으로 보인다.
이에 삼성전자는 종합반도체 기업(IDM)이라는 장점을 십분 활용할 계획이다. TSMC와 달리 삼성전자는 파운드리·메모리·패키징까지 한 번에 해낼 수 있다는 점을 내세웠다. 팹리스 고객사에게 통합 솔루션을 제공해 반도체 개발·생산 시간을 20% 줄일 수 있다. 최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 “인공지능(AI) 반도체에 최적화된 GAA 공정과 원스톱 AI 솔루션을 제공할 것”이라고 말했다.
삼성전자는 매년 파운드리 포럼에서 반도체 공정 로드맵을 소개하고 있다. 미국·한국·일본·유럽 등에서 행사를 연다. SAFE 포럼은 파트너사와 기술 협업을 알리고 네트워킹을 쌓는 자리로 2019년부터 열리고 있다.
.jpg?type=nf190_130)
