삼성전자가 지난해 양산한 10㎚급 5세대 D램. 사진제공=삼성전자
삼성전자가 올해 말에 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대(1c) D램을 양산한다. 삼성은 올해 초부터 회복세를 띠고 있는 D램 시장에서 ‘초격차’ 제조 기술을 경쟁 회사보다 먼저 적용해 리더십을 이어가는 전략을 펼칠 것으로 예상된다.
3일 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 미국 실리콘밸리에서 열린 글로벌 반도체 학회 ‘멤콘 2024’ 연설을 통해 연말에 이 D램을 양산하겠다고 밝혔다. 10나노급 6세대 제품에 대한 구체적인 양산 계획을 공개한 회사는 삼성전자가 처음이다.
삼성전자가 이 제품을 계획대로 양산한다면 현재까지 가장 최신 제품인 1나노급 5세대 제품이 만들어진 지 1년 만에 차세대 메모리 칩을 출시하는 셈이다. 이 제품의 가장 큰 특징은 전작보다 더 많은 회로를 극자외선(EUV) 기술을 활용해 만든다는 것이다.
EUV를 활용하면 동일한 칩 면적에도 기억 소자를 더욱 정밀하게 배치할 수 있어 기존보다 용량이 큰 제품을 한층 수월하게 만들 수 있다. 고용량 메모리가 필요한 온디바이스 인공지능(AI) 기기에 가장 먼저 채택될 것으로 보인다. 또한 개선된 EUV 기술로 미세 회로를 기존 제품보다 더 매끈하게 만들 수 있다. 생산성은 물론 칩의 전력 효율까지 향상돼 완성도와 원가 경쟁력에 큰 도움이 된다.
삼성전자는 멤콘 2024에서 10나노급 6세대 이후의 제품 로드맵도 공개했다. 차세대 제품인 10나노급 7세대 제품은 2026년쯤 양산한다는 계획을 세웠다. 이 제품에는 D램 속 9개 층에 EUV를 도입할 것으로 알려졌다. 2027년 이후에는 10나노대를 넘어 한 자릿수대 나노 공정을 통한 D램 생산에도 도전한다. 미래 EUV 기술로 주목받는 하이(High)-NA EUV 공정 도입에 대한 가능성도 시사했다.
삼성전자는 올해 반도체 수요가 회복되는 흐름을 보고 기술 개발에 공을 들이고 있다. 삼성전자는 전체 D램 시장 중 80~90%를 차지하는 서버·스마트폰·전자기기용 범용 D램 부문에서 압도적 경쟁력을 보이고 있다. 선단 기술 개발과 함께 방대한 생산 능력과 공정 효율을 앞세워 다가올 D램 슈퍼 사이클에서 우위를 점하겠다는 포부로 읽힌다.
