3세대 공정기술 적용
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삼성전자는 초미세 0.15 미크론(100만분의 1mm) 공정을 적용한 3세대 256메가 램버스 D램을 세계 최초로 양산한다고 7일 밝혔다.
이번에 적용한 0.15미크론은 회로선폭이 머리카락 굵기(100 미크론)의 666분의 1에 불과, 기존의 ▲ 0.19미크론 1세대 ▲ 0.17미크론 2세대에 이은 3세대 공정 기술이다.
삼성은 이번 양산을 계기로 현재 주력인 128메가 램버스 D램을 연말부터 256메가 램버스 D램으로 본격 세대교체할 계획이다.
삼성은 이번 0.15미크론 공정의 256메가 램버스 양산 적용으로 웨이퍼당 칩 생산량이 0.17 미크론공정보다 30% 이상 늘어났으며 내부 신호처리 속도도 기존 800㎒에서 1㎓이상으로 빨라졌다고 밝혔다.
삼성은 또 올 연말에는 0.13미크론 공정을 적용한 4세대 램버스 D램 제품을 양산할 예정이며 보급형 램버스 D램인 4뱅크(Bank) 제품도 2002년 상반기에 도입키로 했다.
최형욱기자
