コンテンツにスキップ

ヘテロ接合 (半導体)

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』

ヘテロ接合(ヘテロせつごう、英語:heterojunction)とは、異なる半導体同士の接合である。通常は格子整合系または格子定数が近い材料系で作られる。

応用

[編集]

バンドギャップの違いを利用したもの

[編集]

半導体はそれぞれ、固有のエネルギーバンドをもつ。このため、多くの場合、ヘテロ接合では、バンドギャップの違う半導体を接合することになる(このバンドの接合についてはアンダーソンの法則を参照)。この2つの半導体のエネルギーバンドの差を利用した研究(量子井戸超格子など)が盛んに行われている。応用例としては、太陽電池(HIT)、半導体レーザーHEMTHBTなどがある。

結晶成長の応用(ヘテロエピタキシャル)

[編集]

結晶成長技術の1つにエピタキシャル成長がある。これは、基板の上に結晶成長を行う方法である。成長させる結晶と同一の結晶の基板を作製することが困難な場合、成長させる結晶とは異なる基板が用いられる。

関連項目

[編集]

外部リンク

[編集]