Borsubarsenid
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| Kristallstruktur | |||||||
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| _ B3 _ As3− | |||||||
| Kristallsystem |
kubisch | ||||||
| Gitterparameter |
0,4777 nm | ||||||
| Allgemeines | |||||||
| Name | Borsubarsenid | ||||||
| Andere Namen |
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| Verhältnisformel | B12As2 | ||||||
| Externe Identifikatoren/Datenbanken | |||||||
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| Eigenschaften | |||||||
| Molare Masse | 279,58 g·mol−1 | ||||||
| Sicherheitshinweise | |||||||
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| Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa). | |||||||
Borsubarsenid ist eine chemische Verbindung des Bors aus der Gruppe der Arsenide. In der Literatur wird häufig der mehrdeutige Name Borarsenid verwendet.
Gewinnung und Darstellung
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]Borsubarsenid kann durch pyrolytische Zersetzung von Diboran und Arsenwasserstoff oberhalb von 920 °C gewonnen werden.[2]
Eigenschaften
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]Borsubarsenid besteht aus Bor-Ikosaedern mit dazwischenliegenden As2-Gruppen, weist einen Bandabstand von 3,47 eV auf und wird ausgehend von einem Substrat auf Siliciumcarbid gezüchtet.[3]
Bei Raumtemperatur weist Borsubarsenid eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit λ von über 2 kW/(m·K) auf, was ungefähr der Wärmeleitfähigkeit von Diamant entspricht.[4]
Einzelnachweise
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]- ↑ Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
- ↑ J. L. Boone, T. P. Vandoren: Boron arsenide thin film solar cell development. In: NASA STI/Recon Technical Report N. Band 81, September 1980, S. 14445, bibcode:1980STIN...8114445B.
- ↑ University of Bristol, Applied Spectroscopy Group: Semiconductor Research. Archiviert vom am 1. Februar 2014; abgerufen am 19. Oktober 2022 (englisch).
- ↑ L. Lindsay, D. A. Broido, T. L. Reinecke: First-Principles Determination of Ultrahigh Thermal Conductivity of Boron Arsenide: A Competitor for Diamond? In: Physical Review Letters. Band 111, Nr. 2, 2013, S. 025901, doi:10.1103/PhysRevLett.111.025901.