Mobile DDR
Aparença
Mobile DDR (també coneguda per mDDR, Low Power DDR, LPDDR, o LP-DDR) és un tipus de memòria d'accés aleatori síncrona DRAM de doble velocitat (DDR) destinada al sector d'ordinadors mòbils. La principal diferència : les memòries DDR s'alimenten a 2,5V, en canvi les memòries LP-DDR s'alimenten a 1,8V o menys.[1][2][3]
Generacions LP-DDR
[modifica]LP-DDR | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | 1E | 2 | 2E | 3 | 3E | 4 | 4X | 5 | 5X | |
Rellotge (MHz) | 200 | 266.7 | 200 | 266.7 | 200 | 266.7 | 200 | 266.7 | 400 | 533 |
Mida de Prefetch | 2n | 4n | 8n | 16n | ||||||
Freqüència de bus I/O (MHz) | 200 | 266.7 | 400 | 533.3 | 800 | 1067 | 1600 | 2133 | 3200 | 4267 |
Velocitat de transferència (DDR) (MT/s) | 400 | 533.3 | 800 | 1067 | 1600 | 2133 | 3200 | 4267 | 6400 | 8533 |
Tensions d'alimentació | 1.8 V | 1.2 V, 1.8 V | 1.2 V, 1.8 V | 1.1 V, 1.8 V | 0.5, 1.05, 1.8 V | |||||
Bus de Comandes/Adreces | 19 bits, SDR | 10 bits, DDR | 10 bits, DDR | 6 bits, SDR | 7 bits, SDR |
Generació | Data | Estàndard |
---|---|---|
LP-DDR1 | 2010 | JESD209-1 |
LP-DDR2 | 2011 | JESD209-2E |
LP-DDR3 | Maig 2012 | JESD209-3 |
LP-DDR4 | Agost 2014 | JESD209-4 |
LP-DDR4X | 2017 | |
LP-DDR5 | 2019 | JESD209-5 |
LP-DDR5X | 2021 | JESD209-5B |
Referències
[modifica]- ↑ «What is LPDDR Memory ?» (en anglès). http://www.simmtester.com. Arxivat de l'original el 2014-11-22. [Consulta: 14 novembre 2017].
- ↑ «Integrated Silicon Solution Inc. SRAM, DRAM, FLASH, ANALOG, KGD, WAFER» (en anglès). http://www.issi.com. [Consulta: 14 novembre 2017].
- ↑ Memory, I'M Intelligent. «ECC LPDDR SDRAM eXtra Robustness with integrated error correction | Intelligent Memory» (en anglès). http://www.intelligentmemory.com. Arxivat de l'original el 2017-11-05. [Consulta: 14 novembre 2017].